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瀏覽器自帶分享功能也很好用哦~GTH系列紅外光學(xué)真空鍍膜設(shè)備適用于在Ge,Si, ZnSe, ZnS, 各類硫系玻璃等基材上鍍膜。包括：增透膜，濾色片，分光膜，保護(hù)膜等。具有光譜重復(fù)性好，薄膜吸收小及膜層附著力良好的特點(diǎn)。
設(shè)備特點(diǎn)：
· 腔體尺寸φ900-φ1600mm
· 使用GTHC-8型空心陰極霍爾離子源
· 搭載單電子槍/環(huán)形坩堝和多點(diǎn)阻蒸
· ACS全自動(dòng)鍍膜控制系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)鍍膜過程
· 工件架可選擇球傘式、行星式
· 排氣系統(tǒng)低真空泵組+高真空泵組+深冷
GTH-1350主要規(guī)格參數(shù)：
真空腔室尺寸 | SUS304 φ1350mmx1500mm（H） |
工件盤有效鍍膜尺寸 | φ1223mm，行星訂購時(shí)說明 |
基板回轉(zhuǎn)速度 | 3r/min-30r/min(可變) |
晶振膜厚儀 | XTC-3/MXC-3+6/16點(diǎn)晶控 |
| 蒸發(fā)源1 | 6/8/12位旋轉(zhuǎn)阻蒸、3組獨(dú)立阻蒸 |
| 蒸發(fā)源2 | E型電子槍1套 |
離子源 | GTHC-8 |
真空排氣 | 機(jī)械泵+分子泵/低溫泵/+深冷捕集泵 |
基本性能：
極限真空 | 8.0x10-5Pa |
排氣時(shí)間 | 大氣-3.0x10-3Pa/15min/常溫空載 |
基板溫度 | 最高250℃、鹵素?zé)?陶瓷板加熱 |
工作條件：
空間要求 | 約2.9m（寬）x4.6m（深）x2.7m（高） |
電源要求 | 3相4線380v50Hz、約70kw |
冷卻水要求 | 100L/min、0.2-0.4MPa、18-25℃ |
壓縮空氣 | 0.6MPa |
設(shè)備重量 | 約5000kg |
GTH-1350紅外光學(xué)鍍膜機(jī)
GTH系列紅外光學(xué)真空鍍膜設(shè)備適用于在Ge,Si, ZnSe, ZnS, 各類硫系玻璃等基材上鍍膜。包括：增透膜，濾色片，分光膜，保護(hù)膜等。具有光譜重復(fù)性好，薄膜吸收小及膜層附著力良好的特點(diǎn)。
設(shè)備特點(diǎn)：
· 腔體尺寸φ900-φ1600mm
· 使用GTHC-8型空心陰極霍爾離子源
· 搭載單電子槍/環(huán)形坩堝和多點(diǎn)阻蒸
· ACS全自動(dòng)鍍膜控制系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)鍍膜過程
· 工件架可選擇球傘式、行星式
· 排氣系統(tǒng)低真空泵組+高真空泵組+深冷
GTH-1350主要規(guī)格參數(shù)：
真空腔室尺寸 | SUS304 φ1350mmx1500mm（H） |
工件盤有效鍍膜尺寸 | φ1223mm，行星訂購時(shí)說明 |
基板回轉(zhuǎn)速度 | 3r/min-30r/min(可變) |
晶振膜厚儀 | XTC-3/MXC-3+6/16點(diǎn)晶控 |
| 蒸發(fā)源1 | 6/8/12位旋轉(zhuǎn)阻蒸、3組獨(dú)立阻蒸 |
| 蒸發(fā)源2 | E型電子槍1套 |
離子源 | GTHC-8 |
真空排氣 | 機(jī)械泵+分子泵/低溫泵/+深冷捕集泵 |
基本性能：
極限真空 | 8.0x10-5Pa |
排氣時(shí)間 | 大氣-3.0x10-3Pa/15min/常溫空載 |
基板溫度 | 最高250℃、鹵素?zé)?陶瓷板加熱 |
工作條件：
空間要求 | 約2.9m（寬）x4.6m（深）x2.7m（高） |
電源要求 | 3相4線380v50Hz、約70kw |
冷卻水要求 | 100L/min、0.2-0.4MPa、18-25℃ |
壓縮空氣 | 0.6MPa |
設(shè)備重量 | 約5000kg |
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