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瀏覽器自帶分享功能也很好用哦~GTCK系列磁控濺射鍍膜設(shè)備為單體濺射鍍膜機(jī)，多臺(tái)分子泵提供優(yōu)良的真空條件，提供穩(wěn)定的濺射條件。
設(shè)備特點(diǎn)：
腔體尺寸φ1200-φ2000mm
使用陽極層離子源/無柵射頻ICP系統(tǒng)
通過ACS全自動(dòng)鍍膜控制系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)鍍膜過程
工件架為多片掛架式/行星結(jié)構(gòu)
無油排氣系統(tǒng)可定制
成膜過程及狀態(tài)可多角度觀察
GTCK-800主要規(guī)格參數(shù)：
真空腔室尺寸 | SUS304 φ800mmx900mm（H） |
工件架 | 多片掛架式裝配結(jié)構(gòu) |
工件架尺寸 | φ650x500 |
基板回轉(zhuǎn)速度 | 3r/min-30r/min(可變) |
反應(yīng)速率控制方式 | 反應(yīng)速率控制Speedfol/直接反應(yīng) |
濺射源 | 旋轉(zhuǎn)/平面陰極、中頻/直流 |
膜厚控制 | 晶控控制/時(shí)間累計(jì)控制 |
離子源 | 陽極層離子源/RF-ICP |
真空排氣 | 機(jī)械泵+分子泵/低溫泵/+深冷捕集泵 |
基本性能：
極限真空 | 2.5x10-4Pa |
排氣時(shí)間 | 大氣-4.0x10-3Pa/15min/常溫空載 |
基板溫度 | 最高150℃ |
工作條件：
空間要求 | 約2.8m（寬）x2.6m（深）x2m（高） |
電源要求 | 3相5線380v50Hz、約45kw |
冷卻水要求 | 60L/min、0.2-0.3MPa、10-35℃ |
壓縮空氣 | 0.6MPa |
設(shè)備重量 | 約2000kg |
GTCK-800磁控濺射鍍膜機(jī)
GTCK系列磁控濺射鍍膜設(shè)備為單體濺射鍍膜機(jī)，多臺(tái)分子泵提供優(yōu)良的真空條件，提供穩(wěn)定的濺射條件。
設(shè)備特點(diǎn)：
腔體尺寸φ1200-φ2000mm
使用陽極層離子源/無柵射頻ICP系統(tǒng)
通過ACS全自動(dòng)鍍膜控制系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)鍍膜過程
工件架為多片掛架式/行星結(jié)構(gòu)
無油排氣系統(tǒng)可定制
成膜過程及狀態(tài)可多角度觀察
GTCK-800主要規(guī)格參數(shù)：
真空腔室尺寸 | SUS304 φ800mmx900mm（H） |
工件架 | 多片掛架式裝配結(jié)構(gòu) |
工件架尺寸 | φ650x500 |
基板回轉(zhuǎn)速度 | 3r/min-30r/min(可變) |
反應(yīng)速率控制方式 | 反應(yīng)速率控制Speedfol/直接反應(yīng) |
濺射源 | 旋轉(zhuǎn)/平面陰極、中頻/直流 |
膜厚控制 | 晶控控制/時(shí)間累計(jì)控制 |
離子源 | 陽極層離子源/RF-ICP |
真空排氣 | 機(jī)械泵+分子泵/低溫泵/+深冷捕集泵 |
基本性能：
極限真空 | 2.5x10-4Pa |
排氣時(shí)間 | 大氣-4.0x10-3Pa/15min/常溫空載 |
基板溫度 | 最高150℃ |
工作條件：
空間要求 | 約2.8m（寬）x2.6m（深）x2m（高） |
電源要求 | 3相5線380v50Hz、約45kw |
冷卻水要求 | 60L/min、0.2-0.3MPa、10-35℃ |
壓縮空氣 | 0.6MPa |
設(shè)備重量 | 約2000kg |
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